Filtre :
| Norme et/ou projet sous la responsabilité directe du ISO/TC 201/SC 6 Secrétariat | Stade | ICS |
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Titre manque
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20.00 |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Dosage de l'arsenic dans le silicium par profilage d'épaisseur
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90.93 | |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Étalonnage de l'échelle de masse pour un spectromètre de masse des ions secondaires à temps de vol
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95.99 | |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Étalonnage de l'échelle de masse pour un spectromètre de masse des ions secondaires à temps de vol
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90.92 | |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Étalonnage de l'échelle de masse pour un spectromètre de masse des ions secondaires à temps de vol
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30.99 |
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Analyse chimique des surfaces — Méthode par spectrométrie de masse des ions secondaires — Dosage des atomes de bore dans le silicium à l'aide de matériaux dopés uniformément
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95.99 | |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Dosage des atomes de bore dans le silicium à l'aide de matériaux dopés uniformément
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90.93 | |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Dosage du bore dans le silicium par profilage d'épaisseur
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95.99 | |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Dosage du bore dans le silicium par profilage d'épaisseur
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90.93 | |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Linéarité de l'échelle d'intensité des analyseurs de masse à temps de vol pour comptage des ions individuels
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95.99 | |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Linéarité de l'échelle d'intensité des analyseurs de masse à temps de vol pour comptage des ions individuels
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60.60 | |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Détermination des facteurs de sensibilité relative à l'aide de matériaux de référence à ions implantés
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95.99 | |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Détermination des facteurs de sensibilité relative à l'aide de matériaux de référence à ions implantés
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60.60 | |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Méthode d'estimation des paramètres de résolution en profondeur à l'aide de matériaux de référence multicouches minces
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90.20 | |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Méthode de correction de l'intensité de saturation en SIMS dynamique à comptage d'ions individuel
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90.92 | |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Méthode de correction de l'intensité de saturation en SIMS dynamique à comptage d'ions individuel
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20.00 |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Méthode de détermination du rendement volumique dans le cadre du profilage en profondeur de matériaux organiques par pulvérisation d'argon en grappe
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90.60 | |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Méthode pour le mesurage de la résolution en masse dans la SIMS
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60.60 | |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Méthode pour l'étalonnage de la profondeur pour le silicium à l'aide de matériaux de référence à couches delta multiples
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90.93 | |
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Analyse chimique des surfaces — Spectrométrie de masse des ions secondaires — Répétabilité et constance de l'échelle des intensités relatives en spectrométrie statique de masse des ions secondaires
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90.93 |
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