Reference number
ISO 17560:2014
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International Standard
ISO 17560:2014
Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of boron in silicon
Edition 2
2014-09
Preview
Indisponible en français
Publiée (Edition 2, 2014)
Cette publication a été révisée et confirmée pour la dernière fois en 2020. Cette édition reste donc d’actualité.

ISO 17560:2014

Langue
Format
CHF 63
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Résumé

ISO 17560:2014 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal, or amorphous silicon specimens with boron atomic concentrations between 1 × 1016 atoms/cm3 and 1 × 1020 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.

Informations générales

  • État actuel
     : Publiée
    Date de publication
     : 2014-09
    Stade
    : Norme internationale confirmée [90.93]
  • Edition
     : 2
  • Comité technique :
    ISO/TC 201/SC 6
    ICS :
    71.040.40 
  • RSS mises à jour

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